【研究报告内容摘要】
每周一谈:表面钝化技术与异质结电池设备国产化
近年来大部分电池技术升级围绕表面钝化展开
晶体硅表面钝化技术用于降低半导体表面活性,减少载流子的表面复合,从而实现电池效率的提升。近年来,包括hit、topcon、plol等在内的大部分电池技术升级围绕表面钝化展开。
异质结电池即钝化所有电极接触表面,基区无多子与少子的横向运输,增加光照准费米能级差从而增加了voc等。另一方面,异质结电池非晶硅吸收强电导性差,需要高性能tco。工艺制备方面,hit电池与目前存量设备不兼容,设备需要重新购置。
典型的异质结电池构造为:(a)p-n异质结:在经过清洗制绒的n型硅片正面依次沉积本征非晶硅薄膜(i-a-si:h)与p型非晶硅薄膜(p-a-si:h)从而形成p-n异质结。(b)背表面场:在经过清洗制绒的n型硅片背面依次沉积本征非晶硅薄膜(i-a-si:h)与n型非晶硅薄膜(n-a-si:h)从而形成背表面场。(c)tco:在掺杂a-si:h两侧沉积透明导电氧化物薄膜(tco)。(d)金集电极:应用丝网印刷技术在两侧顶端形成金属集电极。
异质结电池设备投资未来有望降至5亿元/gw
由于现阶段设备以进口为主,1gw产线对应的设备投资约8~10亿元,相较于perc仍然较高。从四大工艺流程设备的价值占比来看,非晶硅薄膜沉积环节pecvd设备价值占比超过一半,为进口替代的核心环节。
2020年为异质结生产设备进口替代关键年,未来整线设备支出有望降至5亿元/gw。行业普遍认为,异质结电池产线每gw设备投资若能下降至5亿元左右,其经济性将逐步体现(前提为材料端成本的同步下降),届时产能扩建将有所加速。
目前,异质结四大工艺流程中,清洗制绒与电极制备国产化程度最高,相关设备在性能与价格方面已与海外巨头相差无几;非晶硅薄膜沉积、tco制备方面,2019年以来已有国内设备供应商龙头(包含样机)成功进入新建产线供货名单,正处于设备工艺调试阶段。
单台设备产能提升方面,单台设备产能提升的关键仍在于pecvd,以捷佳伟创为例,其预计5,500pcs/h的prcvd产品将于2020年上半年面世。
投资策略:(a)人行宣布全面下调金融机构存款准备金率0.5个百分点,预计降准释放长期资金约9,000亿元。财政部就“加快发行使用地方政府专项债券、更好发挥有效投资拉动作用”做介绍。政策组合拳有助于提振市场信心,逆周期调节板块有望受益,代表子行业包括工程机械等。(b)从资本性支出扩张角度来看,泛半导体、动力电池、炼化、油气开采等行业投资热情位于近年景气高位,相关领域设备采购理论需求空间较大。
投资组合:中密控股、中联重科、纽威股份、先导智能、晶盛机电、捷佳伟创。
风险提示:制造业景气度下滑;原材料价格大幅上涨;汇率波动风险。

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